Fraunhofer-GesellschaftStrukturelle Defektcharakterisierung von 4H-SiC-Substraten und Epitaxieschichten mittels Röntgentopographie und Röntgendiffraktometrie
Dipl.-Ing. Sebastian Polster (Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB)
Bauelemente aus Siliziumkarbid verfügen über ein hohes technologisches Potenzial; aus ihnen lassen sich z. B. sehr effiziente Leistungswandler für Elektrofahrzeuge oder Photovoltaikanlagen herstellen. Die Qualität der verfügbaren Kristalle reicht aber bisher noch nicht für alle interessanten Anwendungen aus.
Sebastian Polster vom Fraunhofer-Institut für Integrierte Systeme und Bauelementetechnologie IISB gelang es in seiner Diplomarbeit, wesentliche Fortschritte bei der Beurteilung von Unregelmäßigkeiten in der Struktur von Siliziumkarbidkristallen zu erzielen. Er analysierte die gängigen Verfahren des defektselektiven Ätzens, der Röntgentopographie und der Röntgendiffraktometrie als Charakterisierungsmethoden und optimierte damit ihre Einsatzmöglichkeiten. Seine Ergebnisse erlauben es, die Materialqualität dieses interessanten Halbleiters in Zukunft noch gezielter als bisher zu erforschen und zu verbessern.